УДК 539.186:537; 539.19
СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ КРЕМНИИ
Четверикова Дарья Константиновна, студент, специальность 04.05.01 Фундаментальная и прикладная химия, Оренбургский государственный университет, Оренбург
e-mail: dasha_chetver@mail.ru
Клепикова София Михайловна, студент, специальность 04.05.01 Фундаментальная и прикладная химия, Оренбургский государственный университет, Оренбург
e-mail: gosusksm@yandex.ru
Дадашов Эльнур Дахилевич, студент, направление подготовки 04.03.01 Химия, Оренбургский государственный университет, Оренбург
e-mail: dadashov9000@gmail.com
Научный руководитель: Каныгина Ольга Николаевна, доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры химии, Оренбургский государственный университет, Оренбург
e-mail: onkan@mail.ru
Аннотация. В настоящее время полупроводниковые пластины из монокристалла кремния нашли широкое применение в создании солнечных фотоэлектрических систем (ФЭС), систем прямого преобразования световой энергии солнечного излучения в электричество. Производство солнечных ФЭС является одним из наиболее перспективных направлений «зеленой» энергетики и растет быстрыми темпами во многих странах. Однако на данный момент времени ФЭС не способны полностью удовлетворить потребности человечества в энергии, ведь пластины монокристалла кремния заполняются дефектами и дислокациями, которые, в свою очередь, оказывают огромное влияние на электропроводные свойства кремния.
Таким образом, выявление дислокаций необходимо осуществить до начала использования пластин, однако данный дефект может быть использован на производстве – разработан метод структурирования кремниевых подложек с помощью дислокаций, нашедший широкое применение в микроэлектронике.
Ключевые слова: кремниевые пластины, монокристаллы, дислокации, травление, микросхемы, плотность дислокаций.
Для цитирования: Четверикова Д. К., Клепикова С. М., Дадашов Э. Д. Структурные дефекты в полупроводниковом кремнии // Шаг в науку. – 2024. – № 1. – С. 22–26.
